会员登录 - 用户注册 - 设为首页 - 加入收藏 - 网站地图 三星电子:计划未来10年投资1160亿美元研发非内存芯片!

三星电子:计划未来10年投资1160亿美元研发非内存芯片

时间:2025-05-06 19:27:33 来源:高山峻岭网 作者:娱乐 阅读:232次
  导读:三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元(1160亿美元),星电芯片以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器(非内存芯片研发和生产基础设施)方面在全球的计划领先地位,加快对全球半导体行业的未年基里巴斯ws老号控制。



  4月25日,投资据彭博社消息,亿美元研基里巴斯ws产群系统三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元(1160亿美元),发非基里巴斯ws老号以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器(非内存芯片研发和生产基础设施)方面在全球的内存领先地位,加快对全球半导体行业的星电芯片控制。三星目前在从服务器到智能手机的计划存储芯片市场处于领先地位,它计划在2030年前加大对半导体的未年投资,创造15000个生产和研究工作岗位。投资

  今年3月,亿美元研三星公布第三季度的发非基里巴斯whatsapp老号营业利润下降了60%。这至少部分与DRAM和NAND内存的内存价格暴跌以及智能手机销量的下滑有关。因此三星准备投入巨资1160亿美元,星电芯片基里巴斯whatsapp客服号以确保其为下一代芯片的发展做好准备,其中国内研发投入约640亿美元,生产基础设施投入520亿美元。三星在一份声明中说:“这项投资计划有望帮助三星在2030年实现逻辑芯片领域成为世界领先者的目标。”

(责任编辑:综合)

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